Кремний карбиді жабатын графит науасы

Кремний карбиді жабын графит науасына арналған Semixlab арнайы графит шикізаты

Semixlab Technology компаниясында кремний карбидімен (SiC) қапталған графит науаларымыз экстремалды температуралар, коррозиялық газдар және өте таза жағдайлар біріктірілген жартылай өткізгіш процестердің ең талап етілетін орталарында сенімді жұмыс істеу үшін жасалған. Бұл науалар тығыз CVD кремний карбиді жабынының ерекше химиялық тұрақтылығы мен бетінің тұтастығымен жоғары тығыздықтағы изостатикалық графиттің жылу және механикалық артықшылықтарын біріктіреді. Нәтиже - пластинаны дайындаудың әртүрлі қадамдарында процестің біркелкілігін, кірістілік тұрақтылығын және құралдың жұмыс уақытын сақтауда маңызды рөл атқаратын сенімді, жоғары таза құрамдас.

Эпитаксиалды өсу жүйелерінде, соның ішінде кремний (Si) және кремний карбиді (SiC) эпитаксисі — SiC қапталған графит науасы дәл вафельді тасымалдаушы немесе сезімтал негіз ретінде қызмет етеді. Ол пленка қалыңдығын бақылау, қоспаның біркелкілігі және кристалл сапасы үшін маңызды болып табылатын пластинаның бетінде біркелкі температураның таралуын сақтай отырып, тұрақты механикалық қолдауды қамтамасыз етеді. SiC жабыны графит субстратын H₂, HCl және SiHCl₃ сияқты реактивті газдардан оқшаулайтын химиялық инертті тосқауыл ретінде әрекет етеді, көміртегінің ластануын немесе газ-фазалық реакцияларды болдырмайды. Оның айнадай тегіс беті бөлшектердің пайда болуын азайтады және 1650 °C-қа дейінгі жоғары температуралық ортада деградациясыз ұзақ мерзімді жұмыс істеуге мүмкіндік береді.

Кремний карбиді жабыны Графит науасын қолдану сценарийлері

GaN, GaAs және InP құрылғыларын жасау үшін қолданылатын MOCVD және қосылыс жартылай өткізгішті тұндыру процестерінде науа сутегі мен аммиак негізіндегі химиялық заттардың қайталанатын әсеріне төтеп беруі керек жоғары температуралы пластинаны тасымалдаушы ретінде қызмет етеді. SiC жабынының жоғары коррозияға төзімділігі эрозия мен беттің кедір-бұдырлануын болдырмайды, қабықша морфологиясының үйлесімділігін және құрамдас бөліктердің қызмет ету мерзімін ұзартады. Бұл тұрақтылық тікелей болжамды өсу жағдайларына және жарық диодты, қуат және RF құрылғыларын өндіруге арналған жабдықтың жоғары өткізу қабілетіне айналады.

SiC қапталған графит науасы диффузия, тотығу, күйдіру және жылдам термиялық өңдеу (RTP) орталарында да маңызды рөл атқарады. Осы жоғары температура қадамдары кезінде науа пластинаның туралануын сақтайтын, тотығуға қарсы тұратын және термиялық бұрмалануды барынша азайтатын тірек платформасы ретінде әрекет етеді. Оның жоғары жылу өткізгіштігі жылуды жылдам және біркелкі тасымалдауға мүмкіндік береді, бұл температураны дәл бақылауға және пластиналардағы жылу кернеуін азайтуға мүмкіндік береді. SiC тосқауылы одан әрі газдың шығуынан және металдың ластануынан қорғайды - жетілдірілген құрылғы өндірісіндегі кірісті жоғалтудың екі негізгі себебі.

Осы қолданбалардың барлығында Semixlab SiC қапталған графит науасы тек механикалық қондырғы ретінде ғана емес, сонымен қатар бүкіл өндіріс сатысының жылулық, химиялық және тазалық тұрақтылығын анықтайтын дәлдікпен жасалған технологиялық интерфейс ретінде де жұмыс істейді. Жетілдірілген CVD жабын технологиясын, жоғары таза материалды таңдауды және қатаң геометриялық бақылауды үйлестіре отырып, Semixlab заманауи жартылай өткізгіш фабрикаларының қатаң сенімділігі мен тазалық стандарттарына сәйкес келетін компоненттерді ұсынады. Әрбір науа құрылғының жоғары өнімділігін, төмен ақау тығыздығын және жабдықтың ұзартылған жұмыс уақытын көздейтін жаһандық өндірушілер талап ететін тұрақтылық пен ұзақ мерзімділікті қамтамасыз ететін бірнеше технологиялық циклдардағы қайталанатын өнімділікке арналған.